详细信息
摘要
馆藏信息
所有责任者
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介万奇编著
所有题名
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并列正题名 : Principle and technology of crystal growth
标识号
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ISBN : 978-7-03-058998-9
出版、发行地
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北京
关键词
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晶体生长
语种
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Chinese 汉语
分类
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中图分类 : O78
载体形态
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13,779页
版本说明
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2版
摘要
本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。
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