详细信息
摘要
作者
：
魏少军
标识号
：
ISSN : 1006-6675 CN : 11-3648/F
作者机构
：
大唐电信科技股份有限公司
分类号
：
中图分类 : TN492
来源
：
中国电子商情, China Electronics Market,2003,09
刊名
：
中国电子商情 China Electronics Market
年
：
2003
期
：
09
页
：
48
页数
：
1
印刷页码
：
42
更新日期
：
2009-09-10
中文摘要
<正> 上个世纪50年代,由于锗(Germanium)材料具有较高的载流子(电子和空穴)迁移率,比较容易实现高频性能,因而成为半导体材料的主流。但锗材料制作的半导体器件存在着固有的缺点:温度特性差和由于表面防护性能差而出现的环境(如氧或水气)污染使器件特性变坏。上个世纪50年代末出现的硅平面制造工艺技术开创了以硅材料为主的半导体时代,并逐渐成为集成电路的基本制造工艺沿用至今。
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